運放的失調電流與失調電壓會對運放的零點影響,國慶看了幾天的資料...我會整理出來,放在這里給大家看.

先來介紹下失調電流與電壓

如果運放兩個輸入端上的電壓均為0V，則輸出端電壓也應該等于0V。但事實上，輸出端總有一些電壓，該電壓稱為失調電壓V_OS。如果將輸出端的失調電壓除以電路的噪聲增益，得到結果稱為輸入失調電壓或輸入參考失調電壓。這個特性在數據表中通常以V_OS給出。V_OS被等效成一個與運放反相輸入端串聯(lián)的電壓源。必須對放大器的兩個輸入端施加差分電壓，以產生0V輸出。

V_OS隨著溫度的變化而改變，這種現(xiàn)象稱為漂移，漂移的大小隨時間而變化。漂移的溫度系數TCV_OS通常會在數據表中給出，但一些運放數據表僅提供可保證器件在工作溫度范圍內安全工作的第二大或者最大的V_OS。這種規(guī)范的可信度稍差，因為TCV_OS可能是不恒定的，或者是非單調變化的。

V_OS漂移或者老化通常以mV/月或者mV/1,000小時來定義。但這個非線性函數與器件已使用時間的平方根成正比。例如，老化速度1mV/1,000小時可轉化為大約3mV/年，而不是9mV/年。老化速度并不總是在數據表中給出，即便是高精度運放。

理想運放的輸入阻抗無窮大，因此不會有電流流入輸入端。但是，在輸入級中使用雙極結晶體管(BJT)的真實運放需要一些工作電流，該電流稱為偏置電流(I_B)。通常有兩個偏置電流：I_B+和I_B-，它們分別流入兩個輸入端。I_B值的范圍很大，特殊類型運放的偏置電流低至60fA(大約每3µs通過一個電子)，而一些高速運放的偏置電流可高達幾十mA。

單片運放的制造工藝趨于使電壓反饋運放的兩個偏置電流相等，但不能保證兩個偏置電流相等。在電流反饋運放中，輸入端的不對稱特性意味著兩個偏置電流幾乎總是不相等的。這兩個偏置電流之差為輸入失調電流I_OS，通常情況下I_OS很小。

總諧波失真(THD)是指由于放大器的非線性而產生的基頻的諧波分量。通常情況下只需要考慮二次和三次諧波，因為更高次諧波的振幅將大大縮小。

THD+N(THD+噪聲)是器件產生噪聲的原因，它是指不包括基頻在內的總信號功率。大多數的數據表都給出THD+N的值，因為大多數測量系統(tǒng)不區(qū)分與諧波相關的信號和噪聲。THD和THD + N都被用來度量單音調(single-tone)正弦波輸入信號產生的失真。

一個更有用且更嚴格的失真度衡量指標是互調失真(IMD)，它可度量由雙音調(two-tone)交互干擾的結果而不僅僅是一個載波所產生的動態(tài)范圍。根據不同應用，一些二階IMD分量可能可以濾除，但三階分量的濾除則要更困難些。因此，數據表通常給出器件的三階截取點(IP₃)，這是三階IMD效應的一種最基本度量方式。因為三階串擾產物引起的信號損壞在許多應用中(特別是在無線電接收機中)都非常普遍，而且很嚴重，所以這個參數十分重要。

1dB壓縮點代表輸出信號與理想輸入/輸出傳輸函數相比增益下降1dB時的輸入信號電平。這是運放動態(tài)范圍的結束點。

信噪比(SNR)定義了從最大信號電平至背景噪聲的RMS電平的動態(tài)范圍(以dB為單位)。

其它特性在射頻(RF)應用中變得非常重要。例如，動態(tài)范圍是器件能承受的最大輸入電平與器件能提供可接受的信號質量的最小輸入電平之間的比，如果器件的輸入電平處于這兩點之間，則器件可提供相對線性的特性(在放大器的限制條件下)，若輸入電平不在這兩點之間，器件就會產生失真。