如圖二。外加電源的正極接N區(qū)，負(fù)極接P區(qū)，給PN結(jié)加反向電壓。PN結(jié)的這種運(yùn)用狀態(tài)稱為反向運(yùn)用。反向運(yùn)用時(shí)，外加電壓阻擋層中產(chǎn)生的電場(chǎng)與阻擋層原來的電場(chǎng)方向相同。因此，阻擋層內(nèi)總的電場(chǎng)增強(qiáng)。同時(shí)外加電壓使P區(qū)的空穴向左移動(dòng)，使N區(qū)的電子向右移動(dòng)。由于PN結(jié)兩邊的載流子移走，所以使PN結(jié)中所包含的空間電荷量增加，阻擋層變寬?？梢?，外加反向電壓也使阻擋層內(nèi)擴(kuò)散作用和漂移作用的平衡受到破壞，使電場(chǎng)的漂移作用占了優(yōu)勢(shì)。因而，P區(qū)和N區(qū)的多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)都被阻止。由于本征激發(fā)，在P區(qū)中有少數(shù)載流子電子，在N區(qū)中有少數(shù)載流子空穴，在PN結(jié)反向運(yùn)用時(shí)，電場(chǎng)的漂移作用占優(yōu)勢(shì)，因此，P區(qū)的少數(shù)載流子電子一旦運(yùn)動(dòng)到PN結(jié)邊界處，在電場(chǎng)的作用下就被拉到N區(qū)，形成電子電流I＇n，同樣，N區(qū)的少數(shù)載流子空穴一旦運(yùn)動(dòng)到PN結(jié)邊界處，也會(huì)在電場(chǎng)的作用下被拉到P區(qū)，形成空穴電流I＇p?？昭娏鱅＇P和電子電流I＇n的方向都是從N區(qū)流向P區(qū)的，因此PN結(jié)的反向電流為I-=I＇P+I＇n。P區(qū)的電子和N區(qū)的空穴都是少數(shù)載流子,數(shù)量很少，所以PN結(jié)的反向電流是很小的。
　　綜上所述，PN結(jié)加正向電壓時(shí)，電流大，PN結(jié)所呈現(xiàn)的電阻小。PN結(jié)加反向電壓時(shí)，電流小，PN結(jié)所呈現(xiàn)的電阻大，這就是PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?BR>（二） N結(jié)的擊穿現(xiàn)象
PN結(jié)在反向運(yùn)用時(shí)，如果反向電壓超過一定的限度，反向電流會(huì)突然急劇增大，破壞PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，這種現(xiàn)象中做PN結(jié)反向擊穿，當(dāng)反向電流增加到一定數(shù)值時(shí)，所對(duì)就的反向電壓VB，就稱為PN結(jié)的擊穿電壓。PN結(jié)有兩種擊穿情況：雪崩擊穿和齊納擊穿。
（三） PN結(jié)的電容
　?、?壘電容CT電容器是一種能"存""放"電荷的容器。由于PN結(jié)也具有"存""放"電荷的作用，因此"N結(jié)內(nèi)存在著一個(gè)等效電容器，稱為PN結(jié)的勢(shì)壘電容，又叫阻擋層電容。PN結(jié)是怎樣"存""放"電荷的呢？PN結(jié)空間電荷區(qū)的寬窄是隨外加電壓的變化而變化的。當(dāng)外加正向電壓增大時(shí)，空間電荷區(qū)就會(huì)變窄，當(dāng)外加正向電壓增小時(shí)，空間電荷區(qū)就要變寬?？臻g電荷區(qū)變窄， 是因?yàn)镹型區(qū)的電子和P型區(qū)的空穴進(jìn)入空間電荷區(qū)，中和掉了其中一部分正離子和負(fù)離子。這就相當(dāng)于使一部分電子和空穴"存入"空間電荷區(qū)；相反，空間電荷區(qū)變寬，是因?yàn)榭拷钃鯇右恍┛昭ǎ≒區(qū)）和電子（N區(qū)）被推出，這就相當(dāng)于使一部分電子和空穴從空間電荷區(qū)"放"出來。

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　　PN結(jié)勢(shì)壘電容的存在，相當(dāng)于在PN結(jié)兩側(cè)之間并聯(lián)了一個(gè)電容，如圖3。我們知道，直流電是不能通過電容的。但是高頻交流電卻可以通過它。如果有很大一部分高頻交流電流直接通過PN結(jié)電容，那么PN結(jié)將失去單向?qū)щ娦浴?/P>