影響DRAM速度的參數(shù)較多,但選擇DRAM主要是根據(jù)tRAS。一般選擇50ns或60ns的DRAM就可以滿足要求。

SL11R隨機(jī)讀寫DRAM的周期時間tRC在PCLK為32MHz時為150ns;PCLK為48MHz時為100ns。經(jīng)測試,DMA方式下,DRAM的讀寫速度可以達(dá)到6MHz,滿足常用的數(shù)據(jù)采集要求。

    DRAM的快速頁面讀寫是指在DRAM的同一個頁面下,即行地址相同時,DRAM保持行地址不變,只尋址列地址,這樣可以減少發(fā)送行地址的時間。使用快速頁面讀寫必須十分小心,因?yàn)樵跀?shù)據(jù)采集等場合,寫數(shù)據(jù)時頁面發(fā)生變化會影響DRAM的讀寫時間,很可能會丟失數(shù)據(jù)。

SL11R擴(kuò)展外部存儲器的能力較強(qiáng),可以方便地擴(kuò)展I2C接口的串行存儲器、各種速度的靜態(tài)存儲器以及大容量的DRAM。配合SL11R的USB接口和快速的處理能力,可以滿足各種應(yīng)用的需要。