產(chǎn)品詳情
科研型 高真空磁控濺射鍍膜機(jī) Circular Sputter系列是我司科研類及中試類高真空磁控濺射儀，其主要是用圓形磁控濺射靶進(jìn)行濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。
可用于TGV/TSV/TMV 先進(jìn)封裝的研發(fā)，高深徑比（≥10:1）的深孔種子層鍍膜。
秉承設(shè)備為工藝實(shí)現(xiàn)提供實(shí)現(xiàn)手段的理念，我們做了如下設(shè)計(jì)和工程實(shí)現(xiàn)，實(shí)際運(yùn)行效果良好，為用戶的專用工藝實(shí)現(xiàn)提供了精準(zhǔn)的工藝設(shè)備方案。
靶材背面和濺射靶表面的結(jié)合處理
- 靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導(dǎo)致離化電場(chǎng)的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場(chǎng)分壓增大），導(dǎo)致鍍膜效果不好；電阻增大導(dǎo)致靶材發(fā)熱升溫，降低鍍膜質(zhì)量。
- 靶材和靶面接觸不良，導(dǎo)致水冷效果不好，降低鍍膜質(zhì)量。
- 增加一層特殊導(dǎo)電導(dǎo)熱的軟薄的物質(zhì)，保證面接觸。
基片和靶材之間的距離可調(diào)整，以適應(yīng)不同靶材的成膜工藝的距離要求。
磁控濺射靶頭可調(diào)角度，以便針對(duì)不同尺寸基片的均勻性，做精準(zhǔn)調(diào)控。
集成一體化柜式結(jié)構(gòu)
一體化柜式結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)：
安全性好（操作者不會(huì)觸碰到高壓部件和旋轉(zhuǎn)部件）
占地面積小，尺寸約為：長1100mm×寬780mm（標(biāo)準(zhǔn)辦公室門是800mm寬）（傳統(tǒng)設(shè)備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場(chǎng)地，可以放兩臺(tái)設(shè)備。
控制系統(tǒng)
采用計(jì)算機(jī)＋PLC 兩級(jí)控制系統(tǒng)
- 電力系統(tǒng)的檢測(cè)與保護(hù)
- 設(shè)置真空檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)功能
- 溫度檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)
- 冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測(cè)和流量
- 檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)
工藝氣體采用勻氣技術(shù)，氣場(chǎng)更均勻，鍍膜更均勻。
基片加熱技術(shù)
采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內(nèi)，所以高溫加熱過程中不釋放雜質(zhì)物質(zhì)，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對(duì)基片加熱。
真空室內(nèi)外，全部電化學(xué)拋光，完全去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見），沒有微觀藏污納垢的地方，腔體內(nèi)表面積減少一倍以上，鍍膜更純凈，真空度更高，抽速更快。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能：
1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進(jìn)樣室、鍍膜室+手套箱
2、磁控濺射靶數(shù)量及類型：1～6個(gè)靶，圓形平面靶
3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝
4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容
5、基片可旋轉(zhuǎn)、可加熱、可升降、可加偏壓
6、通入反應(yīng)氣體，可進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜
7、操作方式：手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)
8、如果需要更高本底真空需要配置LOADLOCK，超高真空磁控濺射靶并且 樣品傳遞采用折疊式，超高真空機(jī)械手或真空機(jī)械手，系統(tǒng)極限真空可達(dá)10^-8Pa
設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)
- 基片托架：根據(jù)供件大小配置。
- 基片加熱器溫度：根據(jù)用戶供應(yīng)要求配置。溫度可用電腦編程控制，可控可調(diào)。
- 基片自動(dòng)速度：2~20轉(zhuǎn)/分鐘。
- 基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。
- Φ2～Φ12英寸平面圓形靶1～6支，配氣動(dòng)靶控板，靶可擺頭調(diào)角度。
- 鍍膜室的極限真空：6X10^-5Pa~7X10^-8Pa，恢復(fù)工作背景真空7×10^-4Pa：30分鐘左右（新設(shè)備充干燥氮?dú)猓?br /> - 設(shè)備總體漏放率：關(guān)機(jī)12小時(shí)真空度≤5Pa
設(shè)備工作條件
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類型 |
參數(shù) |
備注 |
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供電 |
～380V |
三相五線制 |
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功率 |
根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置 |
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冷卻水循環(huán) |
根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置 |
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水壓 |
1.0～1.5×10^5Pa |
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制冷量 |
根據(jù)散熱量配置 |
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水溫 |
18～25℃ |
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氣動(dòng)部件供氣壓力 |
0.5MPa～0.7MPa |
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質(zhì)量流量控制器供氣壓力 |
0.05MPa～0.2MPa |
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工作環(huán)境溫度 |
10℃～40℃ |
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工作環(huán)境濕度 |
≤50% |
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