針對以上兩種應(yīng)用，宏微科技推出75A-450A不同電流等級的半橋模塊和75A-150A的H橋一體化模塊。通過每相采用單個(gè)或兩個(gè)及以上半橋模塊并聯(lián)，基本可以覆蓋3kV-10kV高壓變頻器的中小功率范圍和一部分大功率范圍、3kV-35kV級聯(lián)儲(chǔ)能系統(tǒng)的中等容量范圍、3kV-35kV SVG的中等容量范圍。同時(shí)針對小功率段的高壓變頻器，使用H橋一體化模塊，可以減少模塊使用數(shù)量，大幅削減鏈節(jié)體積，降低結(jié)構(gòu)成本。
半橋拓?fù)淠K
以MMG450WB170B6TC半橋模塊為例1產(chǎn)品特點(diǎn)- 基于GWB封裝平臺(tái)
- 功率密度高
- 低熱阻設(shè)計(jì)
- 低寄生電感
- 通過HV-H3TRB、防硫等可靠性試驗(yàn)
1、常高溫下FRD壓降更低，熱阻更??；IGBT壓降與競品接近，但熱阻更小，從而使得整體發(fā)熱更小。
2、常高溫下，相同速度開關(guān)損耗更小，尖峰更低，寄生電感更小。
3、150℃，VGE=15V，Vcc=1000V條件下短路能力≥10us。
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4、通過HV-H3TRB和硫化等高可靠性試驗(yàn)
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H橋一體化模塊
以MMG100W170HX6TC一體化模塊為例
1產(chǎn)品特點(diǎn)- 基于GW封裝平臺(tái)
- 集成度高
- 功率密度高
- 內(nèi)置NTC電阻
- 通過HV-H3TRB、防硫等可靠性試驗(yàn)
以往高壓變頻器應(yīng)用為了搭建H橋拓?fù)?，需要?個(gè)“半橋的IGBT模塊”和1個(gè)“整流二極管模塊”來進(jìn)行組合構(gòu)建，總計(jì)使用3個(gè)功率模塊。
使用宏微MMG100W170HX6TC一體化模塊，只用1個(gè)模塊即可完成3個(gè)模塊的工作，同時(shí)還內(nèi)置了NTC熱敏電阻，以輔助我們在實(shí)際工作中進(jìn)行溫度監(jiān)控。
與原先方案對比，可實(shí)現(xiàn)的功能只多不少，而且1個(gè)一體化 IGBT模塊構(gòu)成高壓變頻器的1個(gè)單元，使系統(tǒng)級聯(lián)設(shè)計(jì)變得更容易。
如果運(yùn)行條件完全相同，使用一體化新產(chǎn)品可以大幅削減鏈節(jié)體積，從而縮小整機(jī)體積，降低結(jié)構(gòu)成本，優(yōu)化電氣特性。
總 結(jié)宏微科技此次推出的1700V一系列產(chǎn)品，不僅在芯片性能上進(jìn)行了改進(jìn)，還在封裝形式上進(jìn)行創(chuàng)新，有效地降低了功耗，提升了效率；還具有更出色的可靠性能力，HV-H3TRB、防硫化等使其在實(shí)際應(yīng)用中表現(xiàn)更加優(yōu)秀。
我們相信，1700V這一系列的IGBT模塊將為工控、變頻、電能改善等領(lǐng)域的應(yīng)用帶來更高的性能和可靠性，同時(shí)也將為行業(yè)發(fā)展帶來更多的創(chuàng)新和進(jìn)步。
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