砥礪奮進，堅持半導體技術(shù)自主創(chuàng)新

【一線講述】

2019年，在新加坡求學和工作近15年后，我回到國內(nèi)，加入西安電子科技大學郝躍院士領(lǐng)銜的寬禁帶半導體團隊。一年后，我來到中新廣州知識城，協(xié)助籌劃和建設(shè)西安電子科技大學廣州第三代半導體創(chuàng)新中心。

作為一種寬禁帶半導體材料，氮化鎵在射頻、電力電子、光電子等應(yīng)用領(lǐng)域比硅、砷化鎵等材料具有明顯性能優(yōu)勢，也是國際上半導體和集成電路產(chǎn)業(yè)的競爭熱點之一。西安電子大學的寬禁帶半導體團隊在這一領(lǐng)域有20余年的研究經(jīng)歷，在氮化鎵的裝備、材料、器件到系統(tǒng)的基礎(chǔ)研究方面取得了很多重要的成果，廣州第三代半導體創(chuàng)新中心承擔著氮化鎵工程化技術(shù)的創(chuàng)新研究和產(chǎn)業(yè)化的重要任務(wù)，重點圍繞氮化鎵射頻、電力電子器件，進行創(chuàng)新型技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

硅基氮化鎵射頻器件和集成電路兼具功率高、效率高、易集成、耐高溫、抗輻照和加工制造低成本的優(yōu)點，在下一代移動通信終端、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、局域網(wǎng)等通信系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域具有很大潛力，也是容易被“卡脖子”的關(guān)鍵技術(shù)之一。我們團隊在實驗室里成功開發(fā)基于硅基氮化鎵的微波、毫米波和太赫茲器件關(guān)鍵材料技術(shù)和工藝制備技術(shù)，獲得國際領(lǐng)先成果，正在轉(zhuǎn)移到廣州創(chuàng)新中心的中試線，進行小規(guī)模量產(chǎn)。

黨的二十大報告提出“深入實施科教興國戰(zhàn)略、人才強國戰(zhàn)略、創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略”“加快實現(xiàn)高水平科技自立自強”，讓我十分振奮。作為一線科研工作者，今后我將繼續(xù)腳踏實地、砥礪奮進，為加快實現(xiàn)我國高水平科技自立自強貢獻力量。