大功率可控硅靜態(tài)動態(tài)參數(shù)綜合測試系統(tǒng)SCRD8000

大功率可控硅靜態(tài)動態(tài)參數(shù)綜合測試系統(tǒng)SCRD8000

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗

大功率可控硅靜態(tài)動態(tài)參數(shù)綜合測試系統(tǒng)SCRD8000

基礎(chǔ)信息

1. 門極觸發(fā)：VGT、IGT

2. 維持電流：IH、IL

3. 阻斷參數(shù)：VD、VR、ID、IR

4. 壓降參數(shù)：VTM、ITM

5. 電壓上升率：dv/dt

6. 電流變化率：di/dt

7. 關(guān)斷時間：Tq

8. 恢復(fù)電荷：Qr、Irr、Trr

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗

大功率可控硅靜態(tài)動態(tài)參數(shù)綜合測試系統(tǒng)SCRD8000

主要量程

1. 陽極電壓：12V

2. 陽極串聯(lián)電阻：12Ω

3. 門極觸發(fā)電壓：0.3—5.00V

4. 門極觸發(fā)電流：1—500mA

5. 維持電流：1—500mA

6. 擎住電流：5—1000mA

7. 通態(tài)電流：600—8000A

8. 通態(tài)壓降：0.3—9.99V

9. 阻斷電壓：200—8000V

10. 正反向漏電流：1—250mA

11. dv/dt箝位電壓VDM：500~4KV

12. 電壓上升率：200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS

13. 通態(tài)電流：200—2000A

14. 反向電壓：50—200V

15. 再加電壓：500—3000V

16. 關(guān)斷時間：4—1500μS

17. 反恢電荷：200μQ—15000μQ

18. 再加電壓上升率：30V/μS、50V/μS、100V/μS

19. di/dt：10A/μS、20A/μS

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗

大功率可控硅靜態(tài)動態(tài)參數(shù)綜合測試系統(tǒng)SCRD8000

氣動夾具

1. 壓力方式：氣壓

2. 壓力范圍：10~60KN

3. 壓力分辨率：0.1KN

4. 控溫范圍：70~180℃

5. 控溫精度：70℃—125℃±1.0℃

6. 控溫精度：125℃—180℃±1.5℃

7. 溫度分辨率：0.1℃

8. 夾頭耐壓：10KV

9. 夾頭行程：≥80mm

10. 臺面直徑：大于Φ130mm

11. 夾頭找平：≥1mm

12. 夾頭平面度：≤20μm

13. 導(dǎo)柱間跨距：≥310mm

14. 夾頭最大電流：10000A

15. 夾頭極性：上為陰極，下為陽極

16. 采樣：上下夾頭采樣頂針同軸

17. 電源：AC50HZ/220V功率≤5KW

18. 夾具可安裝適配器，應(yīng)對不同封裝

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗

大功率可控硅靜態(tài)動態(tài)參數(shù)綜合測試系統(tǒng)SCRD8000

系統(tǒng)單元

1. 門極觸發(fā)參數(shù)測試單元

2. 維持電流測試單元

3. 擎住電流測試單元

4. 阻斷參數(shù)測試單元

5. 通態(tài)壓降參數(shù)測試單元

6. 電壓上升率參數(shù)測試單元

7. 關(guān)斷時間參數(shù)測試單元

8. 恢復(fù)電荷參數(shù)測試單元

9. 自動熱穩(wěn)態(tài)壓力夾具

10. 計算機控制系統(tǒng)

11. PLC控制系統(tǒng)

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗

大功率可控硅靜態(tài)動態(tài)參數(shù)綜合測試系統(tǒng)SCRD8000

性能指標

通態(tài)壓降測試

1. 通態(tài)電流：600—8000A±3%±10A

2. 通態(tài)壓降：0.3—9.99V±3%±10mV

3. 電流達到電流峰值的時間：≥5ms

4. 可測設(shè)定前沿電流和后沿電流的壓降?？蓽y門檻電壓和斜率電阻

5. （此功能由單獨“通態(tài)特性曲線”測試程序完成）

6. 測試頻率：單次

7. 計算機顯示：ITM/IFM，VTM/VFM數(shù)值

dv/dt測試

1. dv/dt箝位電壓VDM：500—4000V，數(shù)碼設(shè)定，數(shù)字表顯示

2. dv/dt箝位電壓VDM靜態(tài)精度：±5%

3. 電壓上升率：200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS

4. 電壓上升率誤差：±10%（在再加電壓2000V（負載電容2.2nF）

5. 下作為考核點）最大過壓時間超過0.5us的瞬態(tài)電壓＜200V

6. 信號指示：具有測試信號指示、通過指示、失敗指示

7. 測試頻率：約0.5HZ；電壓近似線性上升率"

高壓伏安特性

1. 阻斷電壓：200—8000V±3%±10V

2. 電壓分辨率：0.01KV

3. 正反向漏電流：1—250mA±3%±0.1mA

4. 正反向漏電流分辨率：0.1mA

5. 顯示阻斷特性曲線，設(shè)備有輸出電壓和電流保護功能

6. 測試頻率：5或50HZ

7. 電壓調(diào)節(jié)：手動調(diào)節(jié)計算機顯示阻斷電壓和漏電流數(shù)值

門極觸發(fā)特性

1. 陽極電壓：12V

2. 陽極串聯(lián)電阻：12Ω

3. 門極觸發(fā)電壓：0.3—5.00V±5%±10mV

4. 門極觸發(fā)電流：1—500mA±5%±1mA

5. 測試頻率：單次計算機顯示VGT、IGT數(shù)值

擎住電流

1. 陽極電壓：12V

2. 擎住電流：5—1000mA±5%±1mA

3. 計算機顯示：IL數(shù)值

維持電流

1. 陽極電壓：12V

2. 維持電流：1—500mA±5%±1mA

3. 測試頻率：單次預(yù)導(dǎo)通電流：約10A、20A和40A三檔

4. 計算機顯示：IH數(shù)值

關(guān)斷時間及恢復(fù)電荷

1. 通態(tài)電流：200—2000A±5%（數(shù)碼設(shè)定）

2. 脈寬4Ms

3. 反向電壓：50—200V

4. 反向設(shè)定電壓靜態(tài)精度±5%（數(shù)碼設(shè)定）

5. 再加電壓：500—3000V

6. 再加電壓靜態(tài)設(shè)定精度±5%（數(shù)碼設(shè)定）

7. 關(guān)斷時間：4—1500μS±5%±1μS

8. 反向恢復(fù)電荷：大于200μQ—15000μQ±5%±50μQ

9. 重復(fù)性：快速晶閘管±50μQ；普通晶閘管±100μQ

10. 再加電壓上升率：30V/μS、50V/μS、100V/μS三檔

11. ±10%再加電壓在1000V（負載電容2.2nF）下作為考核點

12. 電壓上升率按指數(shù)法計算

13. 反向電流di/dt：10A/μS、20A/μS，精度±15%，電流在 1500A下作為考核點。

14. 測試頻率：約0.5HZ

15. 配有電壓電流的校驗程序（僅供校驗用）"

大功率可控硅靜態(tài)動態(tài)參數(shù)綜合測試系統(tǒng)SCRD8000

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗